Erinevus p-tüüpi ja n-tüüpi päikesepaneelide vahel

Erinevus p-tüüpi ja n-tüüpi päikesepaneelide vahel

Peamine erinevus P- ja N-tüüpi päikesepaneelide vahel seisneb pooljuhtmaterjalides ja nende kasutatavates tööomadustes. P-tüüpi päikesepaneelide puhul kasutatakse substraadina booriga legeeritud P-tüüpi räniplaate, N-tüüpi päikesepaneelidel aga fosforiga legeeritud N-tüüpi räniplaate. Nende kahe materjali elektroonilise struktuuri ja juhtivuse erinevused põhjustavad nende erinevat jõudlust fotogalvaanilise efekti ja tõhususe osas:

N-tüüpi päikesepaneelid:

Kasutades N-tüüpi räni materjali, on sellel suurem elektronide liikuvus ja vähem lisandeid.

Tavaliselt on sellel kõrgem fotoelektrilise muundamise efektiivsus ja madalam sumbumise määr.

Parem vastupidavus fotost põhjustatud sumbumisele tähendab stabiilsemat jõudlust pikaajalise valgustuse korral.

Suurem võimsus ja suurem muundamise efektiivsus. Standardsetes testimistingimustes võib muundamise efektiivsus ulatuda 24,6% -ni ja päikesepaneeli võimsus võib ulatuda üle 575 W.

P-tüüpi päikesepaneelid:

Kasutades P-tüüpi ränimaterjali, on tootmisprotsess suhteliselt lihtne ja maksumus madal.

Kuigi jõudlus ei ole nii hea kui N-tüüpi päikesepaneelidel, on see siiski piisav paljude rakenduste vajaduste rahuldamiseks.

Komponendi võimsus võib ulatuda üle 550 W ja konversioonimäär on 23,5%.

Praegu on fotogalvaanilise tööstuse põhitooteks P-tüüpi päikesepatareid, mis vastavad P-tüüpi räniplaatidele. Tehnoloogia arenedes ja kulude vähenedes kasvab aga järk-järgult N-tüüpi päikesepaneelide turuosa. N-tüüpi päikesepaneelide eelised muudavad need kasulikumaks rakendustes, mis nõuavad suuremat efektiivsust ja stabiilsemat jõudlust.